特記事項: Sun Ultra 450、Sun Enterprise 450

メモリーインタリーブ

Ultra 450 システムでは、NVRAM 変数の memory-interleave でメモリーインタリーブを制御します。次の表に、この変数に指定することができる値と、それらの値によるメモリー構成の変化を示します。メモリーインタリーブとメモリー構成の指針については、『Sun Ultra 450 ワークステーションユーザーマニュアル』または『Ultra Enterprise 450 システムユーザーマニュアル』を参照してください。

表 2-3 memory-interleave の値

設定 

メモリー構成の変化 

auto (デフォルト)

4 つのメモリーバンクがすべて同じ容量の DIMM で構成されている場合は、4-way インタリーブが有効になります。バンク A と B だけ使用されていて、両方のバンクが同じ容量の DIMM で構成されている場合は、2-way インタリーブが有効になります。それ以外の場合、インタリーブは無効です。 

max-size

auto 設定と同じ働きをします。

max-interleave

現在のメモリー構成で実現できる最高レベルのインタリーブを可能にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。各 DIMM について、最小容量の DIMM の容量を超える分は使用されません。 

1

インタリーブを無効にします。使用可能なメモリー容量をすべて使用します。 

2

バンク A と B 間の 2-way インタリーブを強制的に有効にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。バンク B に最小容量の DIMM を取り付けてください。バンク C と D に DIMM が取り付けられていても使用されません。 

4

4 つのバンク間の 4-way インタリーブを強制的に有効にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。バンク D に最小容量の DIMM を取り付けてください。 

最高レベルのインタリーブの設定例を以下に示します。


ok setenv memory-interleave max-interleave