Ultra 450 システムでは、NVRAM 変数の memory-interleave でメモリーインタリーブを制御します。次の表に、この変数に指定することができる値と、それらの値によるメモリー構成の変化を示します。メモリーインタリーブとメモリー構成の指針については、『Sun Ultra 450 ワークステーションユーザーマニュアル』または『Ultra Enterprise 450 システムユーザーマニュアル』を参照してください。
表 2-3 memory-interleave の値
設定 |
メモリー構成の変化 |
---|---|
auto (デフォルト) |
4 つのメモリーバンクがすべて同じ容量の DIMM で構成されている場合は、4-way インタリーブが有効になります。バンク A と B だけ使用されていて、両方のバンクが同じ容量の DIMM で構成されている場合は、2-way インタリーブが有効になります。それ以外の場合、インタリーブは無効です。 |
max-size |
auto 設定と同じ働きをします。 |
max-interleave |
現在のメモリー構成で実現できる最高レベルのインタリーブを可能にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。各 DIMM について、最小容量の DIMM の容量を超える分は使用されません。 |
1 |
インタリーブを無効にします。使用可能なメモリー容量をすべて使用します。 |
2 |
バンク A と B 間の 2-way インタリーブを強制的に有効にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。バンク B に最小容量の DIMM を取り付けてください。バンク C と D に DIMM が取り付けられていても使用されません。 |
4 |
4 つのバンク間の 4-way インタリーブを強制的に有効にします。ただし、取り付けられている DIMM の容量が異なる場合は、一部のメモリーが使用されません。バンク D に最小容量の DIMM を取り付けてください。 |
ok setenv memory-interleave max-interleave